1.关于二极管的实验

我是个电子爱好者。

对于发光二极管经常应用，我的原则是认发光二极管的颜色最重要，其次是亮度。发光二极管有普通亮度的和高亮度的，在购买时咨询一下就可以。

对于发光二极管的型号其实一点也不重要，重要的只有尺寸和刚才说过的颜色以及亮度。这作为试验用途是最重要，最直接的。

可以给你提供一些参数的参考：1.颜色。有红，黄，绿色的，近几年还有蓝，白色的了。

（还有变色二极管，试验中很少用）2.尺寸。有圆的，直径3mm,5mm,10mm。

有方的，典型的为2*5mm。3.亮度。

普通的，高亮度的，现在还有超高亮度的。当然亮度大了寿命短，耗电大，但适合试验和教学。

4.透明性。透明的光线集中，正对它看刺眼，但其他方向则很暗；半透明的则光线均匀。

对于其他的常规二极管，我推荐型号为1N400系列的，可以是1N4001.1N4002等。他们的正向压降为0.7V，最大允许通过电流1A，体积很小，很适合做试验用。

对于二极管的试验，就是根据二极管的单向导电性来设计，很多，如整流。可以用发光二极管组成桥式整流电路，在接入低频交流电中，通过观察发光管的亮灭来得知电流流向，形象而生动的展示整流的全过程。

相信我给你的是你最想要的答案。

2.半导体二极管特性的研究实验报告的id怎么求

为了推动微波功率合成技术的发展，需要开展多路同步输出的脉冲功率源开关关键技术研究，以实现电子束精确同步（同步抖动≤10 ns），源输出波形一致性好，满足负载工作要求。在气体开关的各种触发方式中，激光触发开关是减少开关延迟时间和时间抖动的一种比较理想的开关。气体介质的激光开关，时延可达到1 ns~2 ns，其时间抖动可达到亚纳秒量级[1]。因此，单路脉冲功率源主开关采用吹气式激光触发气体火花开关，要求其开关抖动≤5 ns，重复频率为50 Hz。

在两路脉冲功率源的同步输出实验中，触发控制系统是保证源正确有效合成的关键。控制系统一方面产生两台源正常运行的工作时序，同时通过同步考虑的设计，控制激光触发开关产生触发信号，达到一定的功率合成效率。由于功率MOSFET具有单极型、电压驱动、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好及所需驱动功率小而且驱动电路简单的特点，所以采用MOSFET来设计激光触发器的外触发控制系统。

3.物理实验伏安法测二极管的特性报告怎么写

包括：实验目的、实验仪器、实验原理、实验步骤等

一， 实验目的：

a. 用伏安法测量时的误差考虑。

b. 学习半导体二极管的伏安特性。

二，实验仪器：

安培计，伏特计，变阻器（或电位器），直流电源，待测二极管（2AP型），开关等

三，实验原理：

1.二极管简介：

半导体二极管的核心是一个PN结，这个PN结处在一小片半导体材料的P区与N区之间

它由这片材料中的P型半导体区域和N型半导体区域相连所构成。连接P型区域的引出线称为P极，连接N型区域的引出线称为N极。当电压加在PN结上时，若电压的正端接在P极上，电压的负端接在N极上，称这种连接为“正向连接”；反之，当PN结的两极反向连接到电压上时为“反向连接”。正向连接时，二极管很容易导通，反向连接时，二极管很难导通。我们称二极管的这种特性为单向导电性。实验工作中往往

利用二极管的单向导电性进行整流、检波、作电子开关等。

2.二极管的伏安特性曲线

二极管电流随外加电压变化的关系曲线称为伏安特性曲线。这两个图说明了二极管的单向导电性。由图可见，在正向区域，锗管和硅管的起始导通电压不同，电流上升的曲线斜率也不同。利用绘制出的二极管的伏安特性曲线，可以计算出二极管的直流电阻及表征其它特性的某 些参数。二极管直流电阻（正、反向电阻）R等于该管两端所加的电压U与流过它的电流I之比，即R=U/I。R是随U的变化而变化的。我们通常用万用表所测出的二极管的电阻为某一特定电压下的直流电阻。

四，实验内容和步骤：

用伏安法正向特性曲线和反向特性曲线进行测量

1.测定正向特性曲线

打开电源开关，将电源电压调到最小，然后接通线路，逐步减少限流电阻，直到毫安表显示1.9999mA为止，记下相应的电流和电压。然后调节电流和限流电阻，将电压表的最后一位读数调为0，记录电压，电流；以后按每降低0.010V测一次数据，直至伏特表读数为0.5500V为止，正向电流不用修正。

2.测定反向曲线

正确改接线路后，接通线路开关，将电源电压调至最大，逐步减小限流电阻，直到毫安表显示1.9999mA为止，记下相应的电流和电压。然后调节电源电压或限流电阻，在将电流调为1.8006mA,1.6006mA,1.4006mA，„的情况下，记录相应的电压；其中0.0006 mA为伏特表的电流，记录电流时应自行减去。

4.多用表测电阻 电流 二极管的正反向电阻的实验报告拜托了各位 谢谢

实验] 练习使用多用电表 准备 （1）观察多用电表的外形，认识选择开关的测量项目及量程； （2）检查多用电表的指针是否停在表盘刻度左端的零位置。若不指零，则可用小螺丝刀调整机械调零旋钮使指针指零； （3）将红、黑表笔分别插入“+”、“-”插孔； 测电压 （4）将选择开关置于直流电压2.5V挡，测1.5V干电池的电压； （5）将选择开关置于交流电压250V挡，测220V的交流电压； 测电流 （6）将选择开关置于直流电流10mA挡，测量1.5V干电池与200Ω电阻串联回路的电流； 测电阻 （7）将选择开关置于欧姆表的“*1”挡，短接红、黑表笔，转动调整欧姆零点的旋钮，使指针指向欧姆表刻度的零位置。 （8）将两表笔分别接触几欧、几十欧的定值电阻两端，读出欧姆表指示的电阻数值，并与标准值比较，然后断开表笔。 （9）将选择开关置于欧姆挡的“100”挡，重新调整欧姆零点，然后测定几百欧、几千欧的电阻，并将测定值与标准值进行比较。 测二极管的正、反向电阻 （10）首先弄清两个问题： ①二极管的单向导电性。如图2.8-10：电流从正极流入电阻较小，从正极流出时电阻较大。 ②欧姆表中电流的方向。从黑表笔流出，经过待测电阻，从红表笔流入。 （11）测正向电阻：将选择开关置于欧姆表的“*10”挡，短接红、黑表笔，转动调整欧姆零点的旋钮，使指针指向欧姆表刻度的零位置。黑表笔接二极管正极、红表笔接二极管负极，（如图2.8-11）读出欧姆表指示的电阻数值。乘以倍率，记下正向阻值。 （12）测反向电阻：将选择开关置于欧姆表的“*1000”挡，短接红、黑表笔，转动调整欧姆零点的旋钮，使指针指向欧姆表刻度的零位置。黑表笔接二极管负极、红表笔接二极管正极（如图2.8-12），读出欧姆表指示的电阻数值。乘以倍率，记下反向阻值。 （13）实验完毕，将表笔从插孔中拔出，并将选择开关置于“OFF”挡或交流电压最高挡。 【注意事项】 （1）多用电表在使用前，一定要观察指针是否指向电流的零刻度。若有偏差，应调整机械零点； （2）合理选择电流、电压挡的量程，使指针尽可能指在表盘中央附近； （3）测电阻时，待测电阻要与别的元件断开，切不要用手接触表笔； （4）合理选择欧姆挡的量程，使指针尽可能指在表盘中央附近； （5）换用欧姆档的量程时，一定要重新调整欧姆零点； （6）要用欧姆档读数时，注意乘以选择开关所指的倍数； （7）实验完毕，将表笔从插孔中拔出，并将选择开关置于“OFF”挡或交流电压最高挡。长期不用，应将多用电表中的电池取出。

满意请采纳

5.半导体对发光二极管基本特性研究实验结语和实验体会怎么写

半导体发光二极管是一种极为重要的发光器件，它们不但在电子仪表显示、照明、大规模集成电路、光通信等方面有着广泛的应用，在研究领域也一直倍受人们的关注。

本文对半导体发光二极管的正向电特性进行了较为系统的研究，其中的主要工作可以概括如下： 1.对现有的实验仪器TH2819 Precision LCR Meter进行了开发与改进，实现了计算机对它的远程控制，大大提高了测试效率；根据实验需要，自行组建了实验装置，包括低频电学测试装置和交流电压调制发光实验装置。 2.采用基于并联模式的交流小信号法，在20Hz至100kHz的频率范围内，对半导体发光二极管的正向交流电特性进行了检测，并对实验结果进行了电压分段讨论。

3.用低频电学测试装置，在1Hz至20Hz的频率范围内，对半导体发光二极管的电容特性进行了测试。实验结果表明，所有发光二极管在明亮发光时的电容仍为负值。

4.用交流电压调制发光装置对发光二极管的相对发光强度和发光相角进行了检测，并对相对发光强度和发光相角随频率变化的特征曲线进行了定性解释。 5.在我们测试的频率范围内，半导体发光二极管中普遍存在着负电容现象，并且测试频率越低、正向电压越大，负电容现象就越显著；相对发光强度的频率特性曲线表明，影响发光二极管负电容的因素除了载流子的强辐射复合外，还有一个与频率密切相关的相位因子 6.通过对实验结果进行仔细分析，总结出负电容随电压、频率变化关系的经验公式。

【关键词】：半导体发光二极管 正向交流小信号法 负电容 低频特性 相对发光强度 发光相角。